`EMI吸收磁性材料
EMI吸收磁性材料采用高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结而成，专用于抑制信号线、电源线上的噪声和尖峰干扰，同时它具有吸收静电脉冲能力，使电子设备达到电磁兼容（EMI/EMC）和静电放电（ESD）的相应国家标准。
EMI吸收磁环/磁珠的吸收干扰能力是用其阻抗特性来表征的。它的阻抗特性基本形态见图2-1。
在低频段呈现非常低的感性阻抗值，不影响数据线或信号线上有用信号的传输。
图2-1
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在高频段，约在10MHZ左右开始，阻抗增大，其感抗分量保持很小，电阻性分量却迅速增加，当有高频能量穿过磁性材料时，电阻分量就会把这些干扰能量转化为热能量耗散掉。吸收磁性材料正是利用了这一特性有效地吸收了EMI高频干扰。
吸收磁性材料的性能，通常时比较25MHZ和100MHZ处的初阻抗值.
EMI吸收磁珠
EMI吸收磁珠专用于单根导线上干扰抑制，它具有两种常用形式：单孔珠和多孔珠。
从干扰抑制效果上看，长单孔珠B62优于短单孔珠A62，多孔珠S62的效果最好，尤其在低频端，双单孔珠R62次之。规格尺寸见图。
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型号
|
A
|
B
|
C
|
D
|
电阻值（Ω）
|
|
25MHZ
|
50MHZ
|
100MHZ
|
|
12-A62
|
3.50±0.2
|
63.00
|
6.00±0.2
|
0.80±0.10
|
50
|
-
|
90
|
|
12-B62
|
3.50±0.2
|
63.00
|
9.00±0.3
|
0.80±0.10
|
70
|
-
|
120
|
|
12--R62
|
3.50±0.2
|
-
|
7.50±0.3
|
0.80
|
100
|
-
|
130
|
|
12-S62
|
5.00±0.2
|
0.85
|
10.00±0.4
|
3.5
|
320
|
680
|
580
|
|
|
|
|
|
|
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注：线径Φ0.50，S62为多孔珠，R62为双珠。
EMI吸收磁环
专用于多股线缆上的干扰抑制，使用时可将一根多芯线缆穿于其中，多穿几次可加强其效果，但应注意防止饱和。规格尺寸见图。
尺寸规格 单位：mm
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型号
|
A
|
B
|
C
|
阻抗值（Ω）
|
|
25MHZ
|
100MHZ
|
|
11-Z62
|
3.50±0.20
|
1.30±0.10
|
3.00±0.30
|
20
|
30
|
|
11-Z64
|
6.00±0.30
|
3.00±0.20
|
2.00±0.20
|
12
|
20
|
|
11-Z69
|
5.00±0.20
|
2.39±0.15
|
5.00±0.30
|
18
|
32
|
|
11-M245
|
9.50±0.30
|
5.80±0.20
|
10.4±0.30
|
44
|
61
|
|
11-M246
|
14.20±0.30
|
6.35±0.20
|
28.50±0.50
|
150
|
200
|
|
11-M248
|
17.50±0.30
|
9.50±0.30
|
28.50±0.50
|
100
|
150
|
|
11-M249
|
20.00±0.40
|
10.00±0.30
|
10.00±0.50
|
40
|
70
|
|
11-A625
|
25.00±0.50
|
15.00±0.30
|
12.00±0.40
|
50
|
80
|
|
11-A637
|
28.50±0.50
|
14.00±0.30
|
28.50±0.50
|
450
|
600
|
用同一种磁性材料制成不同型号的磁环、磁珠具有类似的特性，在条件允许的情况下，体积大的阻抗值会大。
带安装夹EMI吸收环
用于定型生产后设备EMI性能改进。可方便拆卸，在测试样机和售后补救中非常方便适用。由于磁环体本身不封闭，所以性能与同体磁环比较略有下降。
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型号
|
A
|
B
|
C
|
D
|
电阻值（Ω）
|
|
25MHZ
|
100MHZ
|
|
13-F065
|
19.5±0.5
|
19.00±0.50
|
6.5±0.40
|
32.0±1.0
|
170
|
350
|
|
13-F100
|
22.50±1.00
|
23.50±1.00
|
10.00±0.50
|
23.00±1.00
|
104
|
224
|
|
13-F130
|
31.5±1.0
|
30.00±1.00
|
13.5±0.50
|
33.0±1.0
|
130
|
300
|
EMI磁性端子
为了便于线路连接处的干扰能够被有效抑制，接线端子型吸收磁环不仅解决了导线连接的问题，而且高效吸收导线上的高频串扰。这种形式的磁环一般使用在PCB板上的电源入口处或者信号出、入口（应考虑信号频率与磁性材料的吸收频率的关系）。干扰抑制效果明显，特别是对于多组线路出入的情况更是能够有效的节省PCB板上的空间，非常适用于目前小型化和功能复杂的电子设备。
性能参数
|
型号
|
A
|
B
|
D
|
P1
|
P2
|
EC
|
F
|
插入损耗（Ω）
|
|
25MHZ
|
100MHZ
|
|
14-SMF11
|
7.6
|
5
|
10
|
2.54
|
2.54
|
0.65
|
5.0
|
200
|
245
|
|
14-SMF22
|
11
|
11
|
10
|
7.62
|
2.54
|
0.65
|
3.5
|
250
|
350
|
目前使用较为广泛的如下两种型号，结构图如下：
 
表面贴装（SMT）EMI元件
适应元器件的发展，EMI吸收磁环/珠夜游表面贴装形式，其外形及尺寸见图7，技术规格如下表：
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型号
|
A
|
B
|
C
|
D
|
Rdc（mΩ）
|
插入损耗（Ω）
|
|
25MHZ
|
100MHZ
|
|
15-SMT1
|
3.05±0.15
|
1.45±0.1
|
2.55±0.15
|
4.05±0.25
|
0.6
|
30
|
56
|
|
15-SMT2
|
3.05±0.15
|
1.45±0.1
|
2.55±0.15
|
8.5±0.3
|
0.9
|
30
|
56
|
连接器用EMI磁片
用于连接器上EMI干扰的抑制，具有空间要求小、多孔抑制、安装方便等多种优点，但需与专用连接器配合使用。
目前标准产品为9芯、15芯和25芯。
技术规格
|
型号
|
A
|
B
|
C
|
D
|
电阻值（Ω）
|
|
25MHZ 100MHZ
|
|
16—9C
|
14.5±0.2
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
23
|
43
|
|
16—15C
|
22.5±0.3
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
40
|
60
|
|
16—25C
|
36.4±0.4
|
7.6±0.2
|
1.57±0.1
|
1.8±0.1
|
24
|
45
|
扁平吸收磁环
专为扁平电缆而设计，具有多种规格，以适应不同的芯线数。特殊规格请查询。
|
型号
|
A
|
B
|
C
|
D
|
E
|
电阻值（Ω）
|
|
25MHZ 100MHZ
|
|
17—B15C
|
23.8±0 8
|
6.3±0.5
|
19.5±0.5
|
15.0±0.7
|
1.1±0.2
|
40
|
100
|
|
17—B20C
|
33.5±1 0
|
6.3±0.3
|
27.0±0.4
|
15.0±0.3
|
1.4±0.2
|
25
|
70
|
|
17—B25C
|
40 0±1.0
|
6.3±0.3
|
35.0±1.0
|
12.0±0.5
|
1.3±0.3
|
30
|
80
|
|
17—B35C
|
64.0±1 0
|
13.0±0.3
|
52.5±0.5
|
12.0±0.4
|
1.6±0.3
|
32
|
100
|
| 
